振荡器指标参数：初始频率公差、频率对温度的稳定度及噪音和抖动特性等。
全硅MEMS 振荡器通过内建电路对硅谐振单元的温度特性进行温度补偿，以此确保稳定性。这种用于补偿的电路被称为“小数分频锁相环”电路。Frac-N PLL 指使用了小数分频器的锁相环电路，它可以产生输入频率的小数倍的输出频率。全硅MEMS 振荡器使用这种方法改变硅谐振单元在各温度点的分频比，以此控制输出信号的起振频率进行温度补偿。
石英晶体振荡单元的振荡器无需温度补偿也可应对较宽的温度范围，并且没有使用进行温度补偿的锁相环电路。它可以保持石英本身所具有的针对温度变化而相对稳定的温度特性，即不出现频率间断性跳动的情况。
硅谐振单元也可以通过尺寸管理、改换电极材料等方法个别进行温度补偿，而只改变初始值的分频比。但这将导致全硅MEMS 振荡器生产效率下降、单价上升的后果，有损于其自身优势。
